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特性和使用
· 高分辨率
專有設(shè)計(jì)的投影光路確保亞微米的刻寫精度：
 
圖1 樣例電極在5x - 100x顯微鏡下的圖樣
· 所見即所得
 
圖2 刻寫過程說明
圖2為刻寫過程的簡要說明。樣品表面旋涂光刻膠后置入光刻機(jī)，需刻寫圖案以位圖方式導(dǎo)入軟件。指引光將在樣品的試試圖像上指示即將刻寫的為止，可通過軟件將圖像平移/縮放/旋轉(zhuǎn)，以精確調(diào)節(jié)刻寫為止。經(jīng)過刻寫、顯影及后處理，即可獲得需要的微結(jié)構(gòu)。

圖3 套刻功能
在已有結(jié)構(gòu)的樣品上增刻新的結(jié)構(gòu)通常稱為“套刻”；通過指引光可以方便的指引即將刻寫的位置，并可通過軟件進(jìn)行角度、尺寸等調(diào)整，調(diào)整完成后即可將新結(jié)構(gòu)精確的套刻至原結(jié)構(gòu)之上。
 
· 高精度拼接功能

圖4 拼接功能；右下圖為全幅待刻寫圖樣，左下圖為單次曝光區(qū)域
 
單次曝光能夠刻寫的區(qū)域受顯微物鏡視場限制，高分辨刻寫時(shí)刻寫區(qū)域較小。大區(qū)域、高分辨刻寫時(shí)，系統(tǒng)通過樣品平移掃描的方式進(jìn)行拼接刻寫。
拼接刻寫完全是自動化的，用戶只需要導(dǎo)入所需要的圖形即可?？墒褂密浖D形進(jìn)行縮放、旋轉(zhuǎn)、平移等操作，以實(shí)現(xiàn)理想的定位和尺寸。
拼接所采用的高精度平移臺保證±100nm的絕對定位精度，確保亞微米尺度光刻的無縫過渡。拼接尺寸可達(dá)200mm。
無掩模光刻系統(tǒng)的圖樣可以實(shí)時(shí)調(diào)整，所以拼刻的圖形可以是任意形狀的而不限于周期圖樣。
 
· 高***功能
電動Z軸平移及自動對焦：可方便用戶對焦，并實(shí)現(xiàn)對表面凹凸、傾斜樣品的準(zhǔn)確刻寫；
環(huán)境防護(hù)：標(biāo)配UV防護(hù)功能；標(biāo)配機(jī)箱除濕功能，確保長時(shí)間自動光刻時(shí)樣品不受濕度變化影響；
灰度刻寫功能：支持對指定區(qū)域的曝光量進(jìn)行設(shè)定，實(shí)現(xiàn)灰度刻寫；
訂制手套箱兼容的光刻系統(tǒng)，樣品自旋涂-曝光-顯影-后處理均在手套箱內(nèi)完成，適用于對氧氣敏感的樣品；
 
 
圖5 已交互客戶的手套箱內(nèi)UV光刻系統(tǒng)示意圖
 
· 技術(shù)支持與試樣、試用
力足***內(nèi)，提供從售前至售后全天候技術(shù)支持。歡迎您隨時(shí)預(yù)約參觀試用儀器，或聯(lián)系我司試樣